Infineon Technologies - BSZ100N03LSGATMA1

KEY Part #: K6421044

BSZ100N03LSGATMA1 Цены (доллары США) [335875шт сток]

  • 1 pcs$0.32431
  • 10 pcs$0.28239
  • 100 pcs$0.21776
  • 500 pcs$0.16132
  • 1,000 pcs$0.12905

номер части:
BSZ100N03LSGATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSZ100N03LSGATMA1 electronic components. BSZ100N03LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ100N03LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ100N03LSGATMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSZ100N03LSGATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1500pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TSDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в