IXYS - IXFN30N110P

KEY Part #: K6401312

IXFN30N110P Цены (доллары США) [2445шт сток]

  • 1 pcs$18.69217
  • 10 pcs$18.59918

номер части:
IXFN30N110P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN30N110P electronic components. IXFN30N110P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN30N110P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN30N110P Атрибуты продукта

номер части : IXFN30N110P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 13600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 695W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.