Infineon Technologies - IRL3705ZPBF

KEY Part #: K6401157

IRL3705ZPBF Цены (доллары США) [52246шт сток]

  • 1 pcs$0.71913
  • 10 pcs$0.64889
  • 100 pcs$0.52154
  • 500 pcs$0.40564
  • 1,000 pcs$0.31793

номер части:
IRL3705ZPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRL3705ZPBF electronic components. IRL3705ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3705ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL3705ZPBF Атрибуты продукта

номер части : IRL3705ZPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 75A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 60nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2880pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 130W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в