Rohm Semiconductor - RQ6E085BNTCR

KEY Part #: K6420884

RQ6E085BNTCR Цены (доллары США) [280423шт сток]

  • 1 pcs$0.13190
  • 3,000 pcs$0.11128

номер части:
RQ6E085BNTCR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RQ6E085BNTCR electronic components. RQ6E085BNTCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ6E085BNTCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ6E085BNTCR Атрибуты продукта

номер части : RQ6E085BNTCR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32.7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1350pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-457
Пакет / Дело : SC-74, SOT-457

Вы также можете быть заинтересованы в