Vishay Siliconix - SIHG33N65E-GE3

KEY Part #: K6399468

SIHG33N65E-GE3 Цены (доллары США) [11959шт сток]

  • 1 pcs$3.44627
  • 500 pcs$2.06182

номер части:
SIHG33N65E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 electronic components. SIHG33N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG33N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG33N65E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG33N65E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 173nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4040pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 313W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.