Vishay Siliconix - SIA427DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6418329

SIA427DJ-T1-GE3 Цены (доллары США) [414489шт сток]

  • 1 pcs$0.08924
  • 3,000 pcs$0.08429

номер части:
SIA427DJ-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 electronic components. SIA427DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA427DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA427DJ-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIA427DJ-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2300pF @ 4V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SC-70-6 Single
Пакет / Дело : PowerPAK® SC-70-6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.