IXYS - IXFH12N120P

KEY Part #: K6394994

IXFH12N120P Цены (доллары США) [9501шт сток]

  • 1 pcs$5.01293
  • 30 pcs$4.98799

номер части:
IXFH12N120P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH12N120P electronic components. IXFH12N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH12N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N120P Атрибуты продукта

номер части : IXFH12N120P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Серии : HiPerFET™, PolarP2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 543W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в