ON Semiconductor - FDT86106LZ

KEY Part #: K6407449

FDT86106LZ Цены (доллары США) [178611шт сток]

  • 1 pcs$0.20812
  • 4,000 pcs$0.20708

номер части:
FDT86106LZ
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDT86106LZ electronic components. FDT86106LZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT86106LZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT86106LZ Атрибуты продукта

номер части : FDT86106LZ
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 108 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 315pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223-4
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SK3462(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

  • 2SK3342(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.