Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-VSKE91/12

KEY Part #: K6440351

VS-VSKE91/12 Цены (доллары США) [2485шт сток]

  • 1 pcs$16.60467
  • 10 pcs$15.49044
  • 25 pcs$14.84117
  • 100 pcs$13.44983
  • 250 pcs$12.98602

номер части:
VS-VSKE91/12
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-VSKE91/12 electronic components. VS-VSKE91/12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-VSKE91/12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-VSKE91/12 Атрибуты продукта

номер части : VS-VSKE91/12
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 100A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.55V @ 314A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10mA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ADD-A-PAK (3)
Комплект поставки устройства : ADD-A-PAK®
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM