Vishay Siliconix - SI4386DY-T1-E3

KEY Part #: K6420223

SI4386DY-T1-E3 Цены (доллары США) [171658шт сток]

  • 1 pcs$0.21547
  • 2,500 pcs$0.18211

номер части:
SI4386DY-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3 electronic components. SI4386DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4386DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4386DY-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI4386DY-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.47W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в