Diodes Incorporated - DMG2305UX-7

KEY Part #: K6417956

DMG2305UX-7 Цены (доллары США) [1219155шт сток]

  • 1 pcs$0.03034
  • 3,000 pcs$0.02812

номер части:
DMG2305UX-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG2305UX-7 electronic components. DMG2305UX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG2305UX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG2305UX-7 Атрибуты продукта

номер части : DMG2305UX-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.2nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 808pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.4W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.