Toshiba Semiconductor and Storage - TK6Q65W,S1Q

KEY Part #: K6419089

TK6Q65W,S1Q Цены (доллары США) [91009шт сток]

  • 1 pcs$0.58952
  • 75 pcs$0.47262
  • 150 pcs$0.41353
  • 525 pcs$0.30336
  • 1,050 pcs$0.23950

номер части:
TK6Q65W,S1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q electronic components. TK6Q65W,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6Q65W,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6Q65W,S1Q Атрибуты продукта

номер части : TK6Q65W,S1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 390pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I-PAK
Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вы также можете быть заинтересованы в