Infineon Technologies - FD-DF80R12W1H3_B52

KEY Part #: K6532730

FD-DF80R12W1H3_B52 Цены (доллары США) [2473шт сток]

  • 1 pcs$17.50946

номер части:
FD-DF80R12W1H3_B52
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 1200V 40A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52 electronic components. FD-DF80R12W1H3_B52 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD-DF80R12W1H3_B52, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD-DF80R12W1H3_B52 Атрибуты продукта

номер части : FD-DF80R12W1H3_B52
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 40A
Мощность - Макс : 215W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 235nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT