Vishay Siliconix - IRFIB7N50APBF

KEY Part #: K6393024

IRFIB7N50APBF Цены (доллары США) [28598шт сток]

  • 1 pcs$1.26040
  • 10 pcs$1.07912
  • 100 pcs$0.86718
  • 500 pcs$0.67446
  • 1,000 pcs$0.55884

номер части:
IRFIB7N50APBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFIB7N50APBF electronic components. IRFIB7N50APBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIB7N50APBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFIB7N50APBF Атрибуты продукта

номер части : IRFIB7N50APBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1423pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Вы также можете быть заинтересованы в