Vishay Siliconix - SIR606DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419750

SIR606DP-T1-GE3 Цены (доллары США) [129161шт сток]

  • 1 pcs$0.28637
  • 3,000 pcs$0.26890

номер части:
SIR606DP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIR606DP-T1-GE3 electronic components. SIR606DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR606DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR606DP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIR606DP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 37A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 6V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1360pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 44.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в