ON Semiconductor - FDD6688

KEY Part #: K6392719

FDD6688 Цены (доллары США) [103324шт сток]

  • 1 pcs$0.38032
  • 2,500 pcs$0.37843

номер части:
FDD6688
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD6688 electronic components. FDD6688 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD6688, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD6688 Атрибуты продукта

номер части : FDD6688
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 84A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3845pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в