ON Semiconductor - FDP030N06B-F102

KEY Part #: K6392725

FDP030N06B-F102 Цены (доллары США) [76870шт сток]

  • 1 pcs$0.50866

номер части:
FDP030N06B-F102
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP030N06B-F102 electronic components. FDP030N06B-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP030N06B-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP030N06B-F102 Атрибуты продукта

номер части : FDP030N06B-F102
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 99nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8030pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 205W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в