Infineon Technologies - BSR802NL6327HTSA1

KEY Part #: K6417146

BSR802NL6327HTSA1 Цены (доллары США) [529955шт сток]

  • 1 pcs$0.06979

номер части:
BSR802NL6327HTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSR802NL6327HTSA1 electronic components. BSR802NL6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSR802NL6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSR802NL6327HTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSR802NL6327HTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.7nC @ 2.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1447pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SC-59
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.