IXYS - IXTA2R4N120P

KEY Part #: K6394767

IXTA2R4N120P Цены (доллары США) [22107шт сток]

  • 1 pcs$2.15455
  • 50 pcs$2.14383

номер части:
IXTA2R4N120P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTA2R4N120P electronic components. IXTA2R4N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA2R4N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA2R4N120P Атрибуты продукта

номер части : IXTA2R4N120P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1207pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (IXTA)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB