IXYS - IXFP230N075T2

KEY Part #: K6394823

IXFP230N075T2 Цены (доллары США) [21535шт сток]

  • 1 pcs$2.11566
  • 50 pcs$2.10514

номер части:
IXFP230N075T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 75V 230A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFP230N075T2 electronic components. IXFP230N075T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP230N075T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP230N075T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFP230N075T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 75V 230A
Серии : HiPerFET™, TrenchT2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 230A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 178nC @ 10V
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10500pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 480W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3