IDP08E65D2XKSA1 Цены (доллары США) [59949шт сток]
- 1 pcs$0.44737
- 10 pcs$0.39887
- 100 pcs$0.29417
- 500 pcs$0.24302
- 1,000 pcs$0.19186
- номер части:
- IDP08E65D2XKSA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы специального назначения and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies IDP08E65D2XKSA1 electronic components. IDP08E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP08E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDP08E65D2XKSA1 Атрибуты продукта
номер части :
IDP08E65D2XKSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
2.3V @ 3A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
40ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
40µA @ 650V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-220-2
Комплект поставки устройства :
TO-220-2
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
CDBDSC8650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
-
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
-
-
-
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L
-
VS-E4PH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
Горячие части
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54