STMicroelectronics - STP11NM65N

KEY Part #: K6399391

STP11NM65N Цены (доллары США) [20643шт сток]

  • 1 pcs$1.99637
  • 10 pcs$1.78175
  • 100 pcs$1.46088
  • 500 pcs$1.18294
  • 1,000 pcs$0.94649

номер части:
STP11NM65N
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STP11NM65N electronic components. STP11NM65N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP11NM65N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP11NM65N Атрибуты продукта

номер части : STP11NM65N
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Серии : MDmesh™ II
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 455 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 800pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.