Infineon Technologies - SPW32N50C3FKSA1

KEY Part #: K6414926

SPW32N50C3FKSA1 Цены (доллары США) [10045шт сток]

  • 1 pcs$3.42424
  • 10 pcs$3.08358
  • 100 pcs$2.53530
  • 500 pcs$2.12419
  • 1,000 pcs$1.85010

номер части:
SPW32N50C3FKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 560V 32A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies SPW32N50C3FKSA1 electronic components. SPW32N50C3FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPW32N50C3FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPW32N50C3FKSA1 Атрибуты продукта

номер части : SPW32N50C3FKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 560V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1.8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 284W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • 94-4007

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

  • IRLR3103

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • IRFIZ24G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • IRFIZ34G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.

  • IRFIBF30G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP.