Infineon Technologies - IPB65R065C7ATMA2

KEY Part #: K6399752

IPB65R065C7ATMA2 Цены (доллары США) [20456шт сток]

  • 1 pcs$2.01462

номер части:
IPB65R065C7ATMA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA2 electronic components. IPB65R065C7ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R065C7ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R065C7ATMA2 Атрибуты продукта

номер части : IPB65R065C7ATMA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO263-3
Серии : CoolMOS™ C7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 33A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3020pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 171W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в