Nexperia USA Inc. - BUK9M35-80EX

KEY Part #: K6421039

BUK9M35-80EX Цены (доллары США) [334614шт сток]

  • 1 pcs$0.11054
  • 1,500 pcs$0.10584

номер части:
BUK9M35-80EX
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9M35-80EX electronic components. BUK9M35-80EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9M35-80EX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9M35-80EX Атрибуты продукта

номер части : BUK9M35-80EX
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13.5nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1804pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 62W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LFPAK33
Пакет / Дело : SOT-1210, 8-LFPAK33

Вы также можете быть заинтересованы в