Nexperia USA Inc. - PSMN7R8-120PSQ

KEY Part #: K6418892

PSMN7R8-120PSQ Цены (доллары США) [81749шт сток]

  • 1 pcs$0.54079
  • 5,000 pcs$0.53809

номер части:
PSMN7R8-120PSQ
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120PSQ electronic components. PSMN7R8-120PSQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN7R8-120PSQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN7R8-120PSQ Атрибуты продукта

номер части : PSMN7R8-120PSQ
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 120V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 167nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9473pF @ 60V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 349W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.