Vishay Siliconix - SI7613DN-T1-GE3

KEY Part #: K6411769

SI7613DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [183951шт сток]

  • 1 pcs$0.20107
  • 3,000 pcs$0.18881

номер части:
SI7613DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7613DN-T1-GE3 electronic components. SI7613DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7613DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7613DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI7613DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2620pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Рабочая Температура : -50°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVP2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.