Infineon Technologies - AUIRF3710ZS

KEY Part #: K6399904

AUIRF3710ZS Цены (доллары США) [28425шт сток]

  • 1 pcs$1.33091
  • 10 pcs$1.20179
  • 100 pcs$0.91631
  • 500 pcs$0.71268
  • 1,000 pcs$0.59051

номер части:
AUIRF3710ZS
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRF3710ZS electronic components. AUIRF3710ZS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF3710ZS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF3710ZS Атрибуты продукта

номер части : AUIRF3710ZS
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 59A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 160W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.