ON Semiconductor - NTS4101PT1G

KEY Part #: K6419569

NTS4101PT1G Цены (доллары США) [969837шт сток]

  • 1 pcs$0.03814
  • 3,000 pcs$0.03720

номер части:
NTS4101PT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NTS4101PT1G electronic components. NTS4101PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTS4101PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTS4101PT1G Атрибуты продукта

номер части : NTS4101PT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.37A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 840pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 329mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-70-3 (SOT323)
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323

Вы также можете быть заинтересованы в