Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT300FD060N

KEY Part #: K6533647

VS-GT300FD060N Цены (доллары США) [163шт сток]

  • 1 pcs$282.88070
  • 12 pcs$260.65420

номер части:
VS-GT300FD060N
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT 600V 379A 1250W DIAP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT300FD060N electronic components. VS-GT300FD060N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT300FD060N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT300FD060N Атрибуты продукта

номер части : VS-GT300FD060N
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT 600V 379A 1250W DIAP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Level Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 379A
Мощность - Макс : 1250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 300A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 23.3nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Комплект поставки устройства : Dual INT-A-PAK

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.