Diodes Incorporated - ZXMN10A25GTA

KEY Part #: K6414797

ZXMN10A25GTA Цены (доллары США) [164765шт сток]

  • 1 pcs$0.22561
  • 1,000 pcs$0.22449

номер части:
ZXMN10A25GTA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA electronic components. ZXMN10A25GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A25GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A25GTA Атрибуты продукта

номер части : ZXMN10A25GTA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 859pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-223
Пакет / Дело : TO-261-4, TO-261AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRLR3303TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

  • IRLR3103TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • IRFR3303TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

  • IRFR3910TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

  • 94-4737

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

  • IRFI9Z24G

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.