Rohm Semiconductor - RQ1E070RPTR

KEY Part #: K6420567

RQ1E070RPTR Цены (доллары США) [212741шт сток]

  • 1 pcs$0.19220
  • 3,000 pcs$0.19125

номер части:
RQ1E070RPTR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RQ1E070RPTR electronic components. RQ1E070RPTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ1E070RPTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ1E070RPTR Атрибуты продукта

номер части : RQ1E070RPTR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 26nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2700pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 550mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TSMT8
Пакет / Дело : 8-SMD, Flat Lead

Вы также можете быть заинтересованы в