Vishay Siliconix - SI2306BDS-T1-GE3

KEY Part #: K6421225

SI2306BDS-T1-GE3 Цены (доллары США) [398557шт сток]

  • 1 pcs$0.09280
  • 3,000 pcs$0.08766

номер части:
SI2306BDS-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-GE3 electronic components. SI2306BDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2306BDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2306BDS-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI2306BDS-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.16A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.5nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 305pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 750mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в