Vishay Siliconix - IRFPF50

KEY Part #: K6392799

IRFPF50 Цены (доллары США) [9146шт сток]

  • 1 pcs$4.52823
  • 500 pcs$4.50570

номер части:
IRFPF50
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFPF50 electronic components. IRFPF50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFPF50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFPF50 Атрибуты продукта

номер части : IRFPF50
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 190W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в