Nexperia USA Inc. - PSMN1R5-40ES,127

KEY Part #: K6418373

PSMN1R5-40ES,127 Цены (доллары США) [60774шт сток]

  • 1 pcs$1.48516
  • 10 pcs$1.32430
  • 100 pcs$1.03041
  • 500 pcs$0.83438
  • 1,000 pcs$0.70369

номер части:
PSMN1R5-40ES,127
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN1R5-40ES,127 electronic components. PSMN1R5-40ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R5-40ES,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R5-40ES,127 Атрибуты продукта

номер части : PSMN1R5-40ES,127
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 136nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9710pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 338W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.