Infineon Technologies - IPB70N12S3L12ATMA1

KEY Part #: K6418934

IPB70N12S3L12ATMA1 Цены (доллары США) [83690шт сток]

  • 1 pcs$0.46721
  • 1,000 pcs$0.38111

номер части:
IPB70N12S3L12ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL100.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB70N12S3L12ATMA1 electronic components. IPB70N12S3L12ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB70N12S3L12ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB70N12S3L12ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB70N12S3L12ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CHANNEL100
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип FET : -
Технология : -
Слив к источнику напряжения (Vdss) : -
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Комплект поставки устройства : -
Пакет / Дело : -

Вы также можете быть заинтересованы в