Vishay Siliconix - SI5471DC-T1-GE3

KEY Part #: K6420910

SI5471DC-T1-GE3 Цены (доллары США) [290392шт сток]

  • 1 pcs$0.12737
  • 3,000 pcs$0.11986

номер части:
SI5471DC-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI5471DC-T1-GE3 electronic components. SI5471DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5471DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5471DC-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI5471DC-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2945pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 1206-8 ChipFET™
Пакет / Дело : 8-SMD, Flat Lead

Вы также можете быть заинтересованы в