Toshiba Semiconductor and Storage - TK560P65Y,RQ

KEY Part #: K6420394

TK560P65Y,RQ Цены (доллары США) [190859шт сток]

  • 1 pcs$0.21424
  • 2,000 pcs$0.21317

номер части:
TK560P65Y,RQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y,RQ electronic components. TK560P65Y,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK560P65Y,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK560P65Y,RQ Атрибуты продукта

номер части : TK560P65Y,RQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Серии : DTMOSV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 380pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в