ON Semiconductor - FDP054N10

KEY Part #: K6400062

FDP054N10 Цены (доллары США) [22809шт сток]

  • 1 pcs$1.52923
  • 10 pcs$1.36353
  • 100 pcs$1.06068
  • 500 pcs$0.85889
  • 1,000 pcs$0.72436

номер части:
FDP054N10
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP054N10 electronic components. FDP054N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP054N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP054N10 Атрибуты продукта

номер части : FDP054N10
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 203nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 13280pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 263W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • LP0701N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

  • TN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

  • R6008ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

  • BUK951R8-40EQ

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V TO-220AB.

  • PMN35EN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP.