Vishay Siliconix - SIHG22N60AEL-GE3

KEY Part #: K6397603

SIHG22N60AEL-GE3 Цены (доллары США) [18373шт сток]

  • 1 pcs$2.24316

номер части:
SIHG22N60AEL-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 600V.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG22N60AEL-GE3 electronic components. SIHG22N60AEL-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG22N60AEL-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG22N60AEL-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG22N60AEL-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 600V
Серии : EL
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1757pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 208W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.