Microsemi Corporation - APTC80SK15T1G

KEY Part #: K6408135

[732шт сток]


    номер части:
    APTC80SK15T1G
    производитель:
    Microsemi Corporation
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 800V 28A SP1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Microsemi Corporation APTC80SK15T1G electronic components. APTC80SK15T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC80SK15T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC80SK15T1G Атрибуты продукта

    номер части : APTC80SK15T1G
    производитель : Microsemi Corporation
    Описание : MOSFET N-CH 800V 28A SP1
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 28A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4507pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 277W (Tc)
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Комплект поставки устройства : SP1
    Пакет / Дело : SP1

    Вы также можете быть заинтересованы в