IDP30E60XKSA1 Цены (доллары США) [63279шт сток]
- 1 pcs$0.61790
- 500 pcs$0.44636
- номер части:
- IDP30E60XKSA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies IDP30E60XKSA1 electronic components. IDP30E60XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E60XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDP30E60XKSA1 Атрибуты продукта
номер части :
IDP30E60XKSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
52.3A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
2V @ 30A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
126ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
50µA @ 600V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-220-2
Комплект поставки устройства :
PG-TO220-2-2
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
IDB30E120ATMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
-
-
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
Горячие части
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF