Infineon Technologies - IRFR5305PBF

KEY Part #: K6392795

IRFR5305PBF Цены (доллары США) [71938шт сток]

  • 1 pcs$0.47663
  • 10 pcs$0.42228
  • 100 pcs$0.31561
  • 500 pcs$0.24475
  • 1,000 pcs$0.19323

номер части:
IRFR5305PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR5305PBF electronic components. IRFR5305PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR5305PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR5305PBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR5305PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 31A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в