Infineon Technologies - PSDC317E5630533NOSA1

KEY Part #: K6532689

PSDC317E5630533NOSA1 Цены (доллары США) [26шт сток]

  • 1 pcs$1315.76206

номер части:
PSDC317E5630533NOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT STACK PSAO-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies PSDC317E5630533NOSA1 electronic components. PSDC317E5630533NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSDC317E5630533NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSDC317E5630533NOSA1 Атрибуты продукта

номер части : PSDC317E5630533NOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT STACK PSAO-1
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : -
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : -
NTC Термистор : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Пакет / Дело : -
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.