Infineon Technologies - SPB21N50C3ATMA1

KEY Part #: K6417800

SPB21N50C3ATMA1 Цены (доллары США) [42431шт сток]

  • 1 pcs$0.92151

номер части:
SPB21N50C3ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies SPB21N50C3ATMA1 electronic components. SPB21N50C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB21N50C3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPB21N50C3ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : SPB21N50C3ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 560V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 208W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в