Infineon Technologies - BUZ73ALHXKSA1

KEY Part #: K6405551

[1625шт сток]


    номер части:
    BUZ73ALHXKSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители and Тиристоры - СКВ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies BUZ73ALHXKSA1 electronic components. BUZ73ALHXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ73ALHXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUZ73ALHXKSA1 Атрибуты продукта

    номер части : BUZ73ALHXKSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
    Серии : SIPMOS®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.5A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 840pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
    Пакет / Дело : TO-220-3

    Вы также можете быть заинтересованы в