Infineon Technologies - IRF3205SPBF

KEY Part #: K6411959

IRF3205SPBF Цены (доллары США) [13610шт сток]

  • 1 pcs$0.75258
  • 10 pcs$0.68150
  • 100 pcs$0.54763
  • 500 pcs$0.42593
  • 1,000 pcs$0.33383

номер части:
IRF3205SPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF3205SPBF electronic components. IRF3205SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3205SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3205SPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF3205SPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 110A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 146nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3247pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 200W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

  • IRFR3710ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • IRFR1010ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR18N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.