Infineon Technologies - IRFI4227PBF

KEY Part #: K6410501

IRFI4227PBF Цены (доллары США) [28338шт сток]

  • 1 pcs$1.32651
  • 10 pcs$1.19738
  • 100 pcs$0.91271
  • 500 pcs$0.70988
  • 1,000 pcs$0.58818

номер части:
IRFI4227PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFI4227PBF electronic components. IRFI4227PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI4227PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI4227PBF Атрибуты продукта

номер части : IRFI4227PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 46W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB Full-Pak
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в