ON Semiconductor - IRFS614B_FP001

KEY Part #: K6407413

[982шт сток]


    номер части:
    IRFS614B_FP001
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor IRFS614B_FP001 electronic components. IRFS614B_FP001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS614B_FP001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFS614B_FP001 Атрибуты продукта

    номер части : IRFS614B_FP001
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.8A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 275pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 22W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-220F
    Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

    Вы также можете быть заинтересованы в