ON Semiconductor - FDP18N50

KEY Part #: K6405581

FDP18N50 Цены (доллары США) [32584шт сток]

  • 1 pcs$0.96581
  • 10 pcs$0.87383
  • 100 pcs$0.70212
  • 500 pcs$0.54609
  • 1,000 pcs$0.45247

номер части:
FDP18N50
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP18N50 electronic components. FDP18N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP18N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP18N50 Атрибуты продукта

номер части : FDP18N50
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 265 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2860pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 235W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в